Iespēja apmaksāt pirkumu trīs vienādos ikmēneša maksājumos bez pārmaksasAtbrīvojiet savas sistēmas pilno potenciālu ar Samsung 9100 PRO NVMe M.2 SSD 1TB (MZ-VAP1T0BW). Aprīkots ar jaunāko PCIe 5.0 x4 saskarni un NVMe 2.0 protokolu, šis augstākās klases cietvielu disks nodrošina gandrīz divkāršu ātruma pieaugumu salīdzinājumā ar iepriekšējās paaudzes PCIe 4.0 risinājumiem — ideāla izvēle prasīgiem spēlētājiem, mākslīgā intelekta (AI) darba stacijām un profesionāliem satura veidotājiem.
Galvenās priekšrocības un funkcijas
Ekstrēms datu pārraides ātrums: Ar secīgās lasīšanas ātrumu līdz 14 700 MB/s un rakstīšanas ātrumu līdz 13 400 MB/s lielu spēļu failu ielāde, 4K/8K video apstrāde un sarežģītu datu masīvu renderēšana notiek acumirklī.
Augsta nejaušās piekļuves veiktspēja: Līdz pat 1 850K / 2 600K IOPS nodrošina zibenīgu operētājsistēmas un programmu atsaucību pat intensīvas daudzuzdevumu slodzes apstākļos.
Uzlabota energoefektivitāte un dzesēšana: Samsung pašu izstrādātais 5 nm kontrolieris piedāvā par līdz pat 49% labāku energoefektivitāti nekā iepriekšējā paaudze, savukārt niķeļa pārklājums un Dynamic Thermal Guard algoritms novērš pārkaršanu un ātruma kritumu (thermal throttling).
Kompakts M.2 2280 formfaktors: Vienpusējā M.2 (2280) konstrukcija ļauj ērti uzstādīt disku gan jaudīgos stacionārajos datoros, gan plānajos spēļu un darba klēpjdatoros.
Pilna pārvaldība ar Samsung Magician: Bezmaksas programmatūra ļauj droši pārnest datus no vecā diska, optimizēt veiktspēju, pārbaudīt diska stāvokli un instalēt jaunākos atjauninājumus.
Komplektācijā ietilpst
Samsung 9100 PRO NVMe M.2 SSD 1TB (MZ-VAP1T0BW)
Lietošanas un uzstādīšanas instrukcija
Tehniskā specifikācija (Atribūtiem)
| Parametrs | Vērtība |
| Ražotājs | Samsung |
| Modelis / Kods | 9100 PRO / MZ-VAP1T0BW |
| Ietilpība | 1 TB (1000 GB) |
| Formfaktors | M.2 (2280) |
| Saskarne | PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 |
| Secīgās lasīšanas ātrums | Līdz 14 700 MB/s |
| Secīgās rakstīšanas ātrums | Līdz 13 400 MB/s |
| Nejaušā lasīšana / rakstīšana (4KB, QD32) | Līdz 1 850K IOPS / 2 600K IOPS |
| Atmiņas tips | Samsung V-NAND TLC |
| Kešatmiņa | LPDDR4X DRAM |
| Izturība (TBW) | 600 TBW |
| MTBF (vidējais darbības laiks bez atteicēm) | 1,5 miljoni stundu |
| Šifrēšana | AES 256-bit, TCG/Opal IEEE1667 |
| Izmēri | 80,15 x 22,15 x 2,38 mm |
| Svars | ~9,0 g |
